Infineon FF200R12KE3 dual insulated-gate bipolar transistor (IGBT) 200A 1200V

Infineon FF200R12KE3 dual insulated-gate bipolar transistor (IGBT) 200A 1200V

The 

Infineon FF200R12KE3 is a dual insulated-gate bipolar transistor (IGBT) power module suitable for high-power industrial applications like motor drives, inverters, and uninterruptible power supplies (UPS). The module is built on Infineon's TRENCHSTOP™ IGBT3 technology for enhanced efficiency and is housed in a compact 62mm EconoDUAL™ 3 package. 

Key specifications 

According to the Infineon datasheet and other distributors, the FF200R12KE3 has the following specifications: 

• Topology: Half-bridge.
• Collector-emitter voltage (VCEScap V sub cap C cap E cap S end-sub
• 𝑉𝐶𝐸𝑆
• ): 1200 V.
• Continuous DC collector current (ICcap I sub cap C
• 𝐼𝐶
• ): 200 A (at case temperature of 80∘80 raised to the composed with power
• 80∘
• C).
• Total power dissipation (Ptotcap P sub t o t end-sub
• 𝑃𝑡𝑜𝑡
• ): 1050 W (at case temperature of 25∘25 raised to the composed with power
• 25∘
• C).
• Operating junction temperature (Tvj opcap T sub v j space o p end-sub
• 𝑇𝑣𝑗 𝑜𝑝
• ): -40°C to +125°C.
• Dimensions: 106.4 mm x 61.4 mm x 30.9 mm (length x width x height)